안녕하세요. 반도체 장비업체에서 근무하는 권보경입니다.


icp descum 장비에서 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상이 발생합니다.

Etch Rate이 감소하는 것은 있을 수 있는 일이지만 50% 이하로 나빠진 상태입니다.

어떤 변수들이 있을 수 있는지, 하드웨어 적으로는 어떤 점을 개선해야 하는지 궁금합니다.


또한 다른 site에 있는 동일 장비에서는 같은 조건에서 Er이 크게 떨어지지 않는데

source power의 차이로 인한 열전달효율이 크게 다르기 때문이라고 볼 수 있는지요.

맞다면 이에 해당하는 공식이 무엇인지 알고 싶습니다.


답변 해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77067
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20384
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57293
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68839
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92842
104 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2035
103 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1532
102 터보펌프 에러관련 [1] 1773
101 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1424
100 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2592
99 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1311
98 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 474
97 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1682
96 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2374
95 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1197
94 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 856
93 etching에 관한 질문입니다. [1] 2283
92 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5499
91 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1444
90 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2355
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2352
88 플라즈마 색 관찰 [1] 4327
87 PR wafer seasoning [1] 2707
» wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1824
85 ICP 후 변색 질문 738

Boards


XE Login