안녕하세요. 

수제의 건 관련하여 막질 전문가님께 질문드립니다.

SiO2 공정 조건에 따른 막질을 해석하려고 하는데요.

그 방법 중 하나로 FTIR 측정을 이용한 분석입니다.

통상 SiO2는 SiO Symmetric와 Asymmetric 2개의 Peak 중첩되서 나오는데요.

질문입니다.

Symmetric이 강한 결합이고, Asymmetric이 약한 결합이라고 하는데...

FTIR X축은 cm-1(카이저)로 E=hv로 계산하면 결국 에너지입니다.

Symmetric은 약 1030cm-1이고, Asymmetric은 1170cm-1이니, Asymmetric이 좀 더 강한막이고, 이 Peak의 가오시안 분포 면적이 많으면 좋은 막 아닌가요?

아니면, 다른 각도로 해석하면 Asymmetric 비대칭구조는 흔히 극성분자라고 해서 양전하와 음전하가 균형을 이루지 않고 한쪽에 치우쳐 존재하는 상태를 말하죠.

즉, 다시말해서 Symmetric은 무극성 대칭구조이고, 양전하 음전하가 균형을 이루고 있고, 이는 다른 분자와의 상호작용이 극성 분자에 비해 낮기때문에 상대적으로

비대칭구조분자 보다는 안정적이다. 이렇개 해석을 해도 되는지요.

좀 헷갈리네요. 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77068
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20384
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57294
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68840
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92842
184 플라즈마내에서의 아킹 43712
183 ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] 34966
182 PEALD관련 질문 [1] 32652
181 RF에 대하여... 32081
180 RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. 31692
179 DC Bias Vs Self bias [5] 31597
178 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. file 30100
177 PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 29785
176 [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 29288
175 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 28979
174 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24894
173 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24682
172 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24200
171 Arcing 23861
170 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23781
169 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22786
168 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22555
167 질문있습니다 교수님 [1] 22202
166 플라즈마 코팅에 관하여 22102
165 펄스바이어스 스퍼터링 답변 21960

Boards


XE Login