안녕하세요. 플라즈마응용연구실 관라자입니다.

 

금일부터 QnA 글을 작성하기 위해 등업제도를 일부 이용합니다.

 

해당 공지 게시글에 가입 인사를 적어주시면 QnA 글을 쓸 수 있는 권한을 받게 됩니다.

(*별도의 권한 처리 없이 댓글 등록시 바로 QnA 작성이 가능해집니다.)

 

글 작성 전에 반드시 댓글을 남겨주시고 QnA 글을 작성해주시기 바랍니다.

 

감사합니다.

 

** 기존에 글을 작성하셨던 분들도 권한 처리가 필요하므로 간단하게라도 댓글 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
» [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77065
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20383
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57293
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68839
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92841
29 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2035
28 터보펌프 에러관련 [1] 1773
27 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2374
26 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1197
25 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 856
24 etching에 관한 질문입니다. [1] 2283
23 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5499
22 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2352
21 PR wafer seasoning [1] 2707
20 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1824
19 Plasma etcher particle 원인 [1] 3028
18 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5968
17 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1146
16 ICP와 CCP의 차이 [3] 12550
15 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2680
14 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3576
13 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6299
12 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1428
11 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5414
10 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17586

Boards


XE Login