Process Cu migration 방지를 위한 스터디
2023.12.18 23:14
디스플레이 업계 어레이 공정 개발을 담당하고 있습니다.
골치 아픈 문제가 있어 이렇게 자문을 구해봅니다.
Bottom Gate로 Copper를 사용하고 있고, GI막을 SiNx+SiO2 이런 구조로 사용하고 있습니다.
현재 제품의 문제가 고객단에서 Gate-SD Short 문제인데요,
GI Particle 관점에서 말고, GI막내로 Gate Cu migration으로 인한 항복전압(Breakdown Voltage) 문제로 보고 있습니다.
제픔의 특성상 Gate를 디른 재료로 바꿀수는 없구요.
Cu 확산이 이뤄진다라는 가정하에 이놈을 효과적으로 제어하는 방법이 있을까요.
의견 부탁드립니다.
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본 질문은 완전히 전자재료 문제로 보입니다. 아마도 전자재료를 다루는 분들에게 문의해 보시는 것이 보다 많은 정보를 얻으실 것 같습니다. (혹시 군산대학의 신소재공학과에 계시는 표면공학회 회장님께 문의해 보시면 좋은 가이드를 받으실 수도 있을 것 같습니다).