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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[279]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
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식각 시 나타나는 micro-trench 문제
[1] | 2033 |
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터보펌프 에러관련
[1] | 1773 |
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DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다.
[1] | 2370 |
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챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
[1] | 1197 |
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RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다.
[1] | 854 |
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etching에 관한 질문입니다.
[1] | 2279 |
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DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 5493 |
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Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.
[1] | 2352 |
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PR wafer seasoning
[1] | 2707 |
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wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상
[1] | 1816 |
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Plasma etcher particle 원인
[1] | 3025 |
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SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1]  | 5947 |
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안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다.
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ICP와 CCP의 차이
[3] | 12546 |
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RIE에 관한 질문이 있습니다.
[1] | 2677 |
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Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
[1] | 3565 |
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RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
[4] | 6292 |
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poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
| 1427 |
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SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
[1] | 5403 |
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10 |
안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다.
[1] | 17573 |
