안녕하세요, 교수님

다름이 아니라 N2 Gas를 활용한 Plasma에서 N+ 이온들의 반응성을 이용하여 불필요 막질을 제거하는 조건을 찾게 되었습니다.

실질적으로 N+ 이온들의 반응성이 상당히 좋은 편인지 궁금하여 질문남겨드립니다.
항상 답변 남겨주셔서 감사드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76997
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20342
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57264
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68808
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92808
741 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 412
740 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 528
739 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 730
738 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 645
737 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 451
736 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 326
735 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 366
734 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 610
733 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 276
732 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 367
731 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 259
» N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 632
729 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 588
728 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 351
727 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 503
726 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 374
725 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 732
724 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 603
723 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 408
722 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 192

Boards


XE Login