안녕하세요 반도체 회사에 근무하고 있는 회사원입니다.

RF Power 를 이용하여 Film을 Deposition 하는 부서에 있는데요,

주요 관리 항목 중에 RF Vpp 항목이 있습니다.

RF Vpp 관련해서 문의드릴게 있습니다.

 

1. Ti Film을 RF Power를 이용하여 Dep하는데, Chamber 내부에 Ti Film이 더 많이 Depo 되면 RF Vpp는 조금씩

    떨어지는데 왜 그런건지 알 수 있을까요?

    업체에서는 Vpp와 Vdc가 반비례 관계여서 Vpp는 떨어지고, Vdc가 올라가게 된다고 하는데

    실상은 Vpp와 Vdc는 모두 떨어지는 Trend를 보이고 있습니다.

 

2. 두 번째로 Chamber의 RF Ground 역할을 하는 Stage Heater를 교체했는데,

    이전보다 RF Vpp Level이 떨어졌습니다. 무슨 연유에서 그런건지 모르겠는데 Ground가 바뀐 것만으로도 Vpp가 떨어질 수 있을까요?

 

설명이 부족하지만 도움 부탁드리겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [316] 80862
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21615
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58421
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70040
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 95341
444 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3239
443 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3193
442 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3174
441 VI sensor를 활용한 진단 방법 [Monitoring과 target] [2] 3091
440 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3064
439 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3013
438 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [전극 표면 전위] [1] 3005
437 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [웨이퍼 근방 쉬스 특성, Edge ring] [2] 2986
436 임피던스 매칭회로 [전기공학 회로 이론 및 impedance matching] [1] file 2981
435 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [MFC와 H2 gas retention] [3] 2893
434 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 2823
433 플라즈마 압력에 대하여 [Glow discharge와 light] [1] 2803
432 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 2794
431 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2788
430 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [대기압 플라즈마와 라디컬 생성] [1] 2776
429 SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리] [2] 2742
428 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [LF와 Sheath] [1] 2726
427 질문있습니다. [전자 에너지 분포함수 및 Maxwell 분포] [1] 2703
426 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다.(챔버쪽 임피던스 검출) [플라즈마 특성과 장비 임피던스] [1] file 2684
425 산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응] [1] 2668

Boards


XE Login