안녕하십니까. 장비사에서 식각 공정 개발 업무를 맡고 있는 김노엘 입니다.

공부하던 중, ESC 온도 증가에 따른 Sticking coefficient 관련 궁금한 점이 생겨 질문을 남기게 되었습니다.

보통 HAR 구조 식각 시 Sticky한 성질을 갖고 있는 gas가 bottom 으로 들어가지 못하고 top 에 쌓여 식각 profile이 불균일해지는 문제가 있음을 알게 되었습니다. 이에 대한 해결책은 ESC 온도를 증가시키는 것이었고 gas가 덜 Sticky해져 profile이 개선됨을 확인할 수 있었습니다.

여기서 궁금한 점이 있습니다.

Q) 본래 기체는 온도 증가에 따라 점성이 증가한다고 알고 있습니다. 식각공정의 경우 ESC 온도를 증가시키면 wafer에 열전달이 일어날 것이고 그 열이 기체에 전달된다면 기체의 점성이 증가해 오히려 더욱 sticky 해 질것으로 생각됩니다만, 오히려 ESC 온도 증가에 따라 gas가 덜 sticky해 진다고 하니 이해가 어렵습니다. 제가 잘못 생각한 부분이 있는 거 같은데 정확한 메커니즘에 대해 설명을 듣고 싶습니다.

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Q) 추가적으로 RF frequency에 따른 ion과 electrom의 거동에 대한 질문이 있습니다. CCP 구조의 식각 chamber의 경우 bias electrode 쪽에 low frequncy(LF)와 high frequncy(HF)의 RF generator를 사용한다고 알고 있습니다. 이때, LF의 용도가 궁금합니다. ion을 더 강하게 당기는 역할을 한다고 알고 있는데,, 각 frequncy에 따른 ion의 움직임을 어떤 plasma theory로 해석해서 생각할 수 있는지 궁금합니다.

타 산업에 종사하다 플라즈마를 다루는 공정개발 업무를 하게 되어 어려운 부분이 많습니다. 교수님께서 만들어 주신 본 홈페이지 덕분에 많이 배우고 공부하고 있습니다. 정말 감사합니다.

김노엘 드림.