Etch 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing]

2023.06.16 16:51

bokweng 조회 수:479

 

안녕하세요. RIE 모니터링 관련해서 졸업 프로젝트 진행중인 학부 4학년 정보경입니다.

 

 다름이 아니라 RIE 장비를 거친 후의 부산물 양을 알고 싶어서 여쭈어 봅니다.

주입가스는 CF4,O2(19sccm , 1 sccm)이며 식각될 물질은 SiO2입니다. 

 

4인치 웨이퍼에 증착된 1나노미터의 산화막이 모두 식각되었을 시 SiF4의 양을 계산할 수 있을까요?

 

SiO2+4F->SiF4 (g) +2O

 

전공에서 다루는 부분이 아니라 난항을 겪고 있는 중입니다. 

답변 주시면 감사하겠습니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [316] 80874
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21619
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58424
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70042
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 95346
173 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [RF matcher noise] [1] 382
172 Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 387
171 RIE Gas 질문 하나 드려도 될까요? [Sheath instability] [1] 401
170 메틸기의 플라즈마 에칭반응 메커니즘 [공정 플라즈마] [1] 419
169 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 454
168 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델] [1] 464
167 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [플라즈마 확산] [1] 474
» 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing] [1] 479
165 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 496
164 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [Pd condition과 PDP] [1] 503
163 PEALD장비에 관해서 질문드리고 싶습니다. [장비 세정 및 관리 규칙] [1] 509
162 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [대면 재료의 전기적 특성와 플라즈마 쉬스의 변화] [3] 549
161 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 566
160 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 622
159 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [핵융합 연구소] [1] 644
158 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE] [1] 684
157 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [Sheath 전기장 및 instability] [1] file 712
156 기판표면 번개모양 불량발생 [Plasma charging] [1] 714
155 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 722
154 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 752
쓰기
태그

Boards

XE Login