온도의 차이 말고도 다른 차이가 있나요?

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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70031
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464 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다 [고주파 플라즈마 반응 특성] [2] 3788
463 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전] [3] 3771
462 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [Child-Langmuir sheath model] [2] 3755
461 ESC Cooling gas 관련 [ESC 온도 제어] [1] 3719
460 Bias 관련 질문 드립니다. [Ion plasma frequency] [1] 3661
459 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 3655
458 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [Arc와 cleaning] [1] 3640
457 방전에서의 재질 질문입니다. [방전과 전압] [1] 3620
456 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [Plasma impedance와 Matcher] [2] 3548
455 코로나 방전의 속도에 관하여 [코로나 방전의 이해] [1] 3522
» 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [플라즈마 물리/화학적 특성, 중성입자 거동 및 자기장 성질] [1] 3481
453 CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포] [1] 3461
452 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [Maxwallian EEDF] [2] 3438
451 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [ONO 공정 중 질화막 모니터링] [2] 3429
450 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구] [1] 3401
449 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [회로 모델 및 부품 impedance] [3] 3401
448 RF matcher와 particle 관계 [DC glow 방전, 플라즈마 임피던스] [2] 3360
447 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3352
446 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown] [1] 3319
445 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3250

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