Etch RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정]

2017.01.17 17:27

블라디 조회 수:6527

안녕하세요.

 

RPS를 이용해 NF3와 CF4 Etch Rate 차이를 보고 싶은데..

Infra가 없어 부득이하게 연구 기관을 통해 Test 진행을 하려고 합니다.

근데 RPS에는 NF3 라인만 연결이 되어 있고 CF4의 경우 Chamber로 Direct 들어가게 되어있는데요.

Chamber내 Plasma Power 및 다른 parameter를 조절해 RPS 같이 구현이 가능할까요?

제가 알기로는 Remote와 Direct Plasma는 주파수 자체가 달라서 힘들거 같은데요.

 

미리 답변 감사합니다.

수고하세요.

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