김곤호 교수님 안녕하세요~~

저는 ESC를 만드는 업체에 근무를 하고 있습니다. (Display용 ESC, monopolar)

일을 하다보니 궁금한게 많은데 논문을 찾아보고 해도 잘 이해가 안되는 부분들이 있어서 글을 올립니다.

1. Dry etcher 공정중에 온도가 변화하면 ESC의 chucking force가 변화하나?

반도체 ESC에서는 비저항을 낮추기 위해 여러가지 물질들을 섞어서 chucking force를 증가시키고, 또한 공정중에 온도를 올려주면

비저항이 떨어져 Chucking force가 증가한다고 논문에 나와있습니다.

그럼 monopolar용 Al2O3를 기반으로 만든 대면적 dry etcher용 ESC는 온도가 올라가면 Chucking force가 달라질까요?

제 생각은 알루미나의 유전율이 바뀌지 않기 때문에 chucking force에 변화가 없을것으로 생각되어지는데 맞는지요?

2. 진공상태와, Air, 습도에 따라 당연히 Chucking force가 변화하는 걸로 알고 있습니다,

그럼 공정중 압력의 변화가 있으면 Chucking force가 변화할까요?

1mTorr, 10mTorr에서 같은 파워에서는 플라즈마 밀도가 다르기때문에 이온들이 더 많이 끌려오는 10mtorr가 chucking force가 높을것으로 사료되는데 맞는지요? 또한 가스 유량 없이 펌핑만할경우에는 압력의 변화에 chucking force가 변화가 없는게 맞나요?

3. 디스플레이에서 유리 기판을 chucking을 하는데 dummy glass와 metal이 증착되어진 glass의 chucking력이 다른지요? 

제 생각은 metal이 증착되어 있는 glass가 chucking력이 높을거 같은데 이유는 glass위에 증착되어진 metal이 capacitance 역할을 하여 chucking force가 증가할거 같습니다.

저의 궁금한점과 짧은 생각을 적어놓았는데 시간 되실 때 답변을 해주시면 감사하겠습니다.