CCP capacitively/inductively coupled plasma
2004.06.21 15:12
capacitively/inductively coupled plasma
한가지 잘 못 이해하고 있는 것이 있습니다. 전극이 반응기 내외부에 있는 여부로 ICP/CCP 플라즈마를 구별하지 않습니다.
일반적으로 capacitively coupled plasma 는 전극 사이에 형성되는 전기장에 의해 전자가속이 일어나 에너지를 얻어 이온화에
의해 만들어진 플라즈마를 의미하며 Inductively coupled plasma는 말 그대로 안테나에 흐르는 전류에서 형성된 자기장이 시간이
따라서 변할 때 자기장 주변으로 형성되는 전기장으로 부터 전자가 가속 에너지를 얻고 이온화를 통해 만들어진 플라즈마를
의미하는 말로써 써야 합니다. 물론 일반적인 ICP 반응기에서 CCP현상에 의한 플라즈마 발생이 일어나기도 합니다.
약간의 혼돈은 여기서 생길 수 있습니다만 두 현상을 구분해서 이해하는 것이 좋습니다.
아울러 다음 항을 참고하기 바랍니다. (271/259/225/205/126/95)
냉각수로 power leak가 있을 수도 있습니다. 일반 가정용 물을 냉각수로 사용하는 것은 좋은 방법이 아닙니다. 적어도 증류수를 사용하도록 하는 편이 옳습니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] | 73031 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17616 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 55516 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 65697 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 86030 |
706 |
Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유
[1] ![]() | 16 |
705 |
OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다.
[1] ![]() | 34 |
704 | 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] | 66 |
703 | Self bias 내용 질문입니다. [1] | 77 |
702 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 93 |
701 | self bias [1] | 98 |
700 | 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] | 105 |
699 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 113 |
698 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 126 |
697 |
구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다.
[1] ![]() | 178 |
696 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 203 |
695 | AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 | 207 |
694 | CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] | 211 |
693 | plasma modeling 관련 질문 [1] | 236 |
692 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 246 |
691 | ESC DC 전극 Damping 저항 | 246 |
690 |
Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동
[1] ![]() | 262 |
689 |
plasma striation 관련 문의
[1] ![]() | 263 |
688 | 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] | 271 |
687 | OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] | 272 |