Etch N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요
2010.01.20 17:55
안녕하세요.
N2 Gas를 이용하여 monomer 박막 Etching을 하는데요.
10min 공정에 200A/min etching 되었는데 50min 공정에서 500A/min 정도로 1/2로 Etching rate이 줄었습니다.
그 이유를 자세히 알고 싶은데요.
빠른 답변좀 부탁 드릴께요.
예상 되는 원인은 : 공정 시간이 길어 짐에 따라 chamber 내 온도 상승으로 박막 경화 되어 Etching rate이 감소 했을것으로
생각 되는데 이게 맞는건가요?? 그리고 다른 예상 가능한 원인들좀 알려 주세요.
감사합니다.
댓글 2
-
김곤호
2010.01.20 05:26
- 공감합니다. 온도 변화가 큰 요인 중에 하나가 되겠네요. 플라즈마 입자 및 UV 조사에 의한 경화는 일반적인 현상이 되겠습니다. 혹시 cooling 시키면 어떨까요? -
권호철
2010.01.20 17:55
monomer 물질이 어떤 것인지 정확히는 모르나,
N2 플라즈마에 의해 박막 표면이 노출이 되면 일정 두께에 막질이 경화되는 현상이 있습니다.
이러한 경화현상으로 시간이 지남에 따라 식각률이 떨어지는 경향을 시간에 따라 확인하실 수 있습니다.
경화현상 자체를 확인하시고 싶으시면, 막의 수직 단면을 절단해보시면 확인히 차이가 난 막질을 볼 수 있습니다. 이를 억제하고 식각률을 유지하기 위해서는 근본적으로 표면 막질의 식각률을 향상시킬 수 있는
공정 recipe의 개선이 필요하고, (식각 장치가 어떤 것인지는 모르겠습니다만) 근본적으로 식각률을
향상시켜 최적 요구조건 수준 이상을 만족시킬 수 있도록 개선하는 것이 좋을 것 같습니다.
앞서의 cooling도 해보시고, He나 기타 열용량이 큰 가스들을 첨가함으로써 식각률 이득 뿐만 아니라,
chamber 구조상의 열손실을 확보할 수 있는 배기 구성 등을 시도해보시는 것도 좋을 것 같습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76543 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20078 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57116 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68615 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91697 |
783 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 22 |
782 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 35 |
781 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 37 |
780 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 39 |
779 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 50 |
778 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 57 |
777 | Microwave & RF Plasma [1] | 67 |
776 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 72 |
775 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 75 |
774 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 83 |
773 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 94 |
772 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 104 |
771 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 108 |
770 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 118 |
769 | 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] | 123 |
768 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 129 |
767 | CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] | 131 |
766 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 141 |
765 | Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] | 147 |
764 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 156 |