Etch Plasma Etch시 Wafer Edge 영향

2017.05.15 22:58

최원우 조회 수:3484

안녕하십니까 현재 Plasma Etch 업계에 종사하고있는 사원 입니다.

Plasma Etch시 Etch Rate가 Wafer Edge(주로 140mm이상)에 굉장히 민감한데

이 현상에 대한 해석을 어떻게 해야 좋을 지 모르겠습니다.

민감하다는 표현은 조건 튜닝시 Center나 Edge나 증가하거나 감소하는 현상은 동일하나

ER Map 전체를 봤을 때 Edge에 의해서 U자형(Edge Fast)이 되거나 그 반대 (Edge Low)가 되는 현상이 나타납니다.

Chamber Wall에 의한 현상으로 보기에는 Wafer 극 Edge 쪽만 해당되기에 아닐 것으로 예상합니다.

이 현상에 대한 해석이나 참고문헌등 도움이 될만한 자료를 알려주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [262] 76503
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20047
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57103
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68586
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91564
362 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 787
361 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1126
360 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1262
359 DC bias (Self bias) [3] 11195
358 ICP와 CCP의 차이 [3] 12416
357 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 779
356 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1821
355 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] 9504
354 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2604
353 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1927
352 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1453
351 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [1] 573
350 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2592
349 RF frequency와 RF power 구분 39041
348 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2272
347 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2706
346 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 675
» Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3484
344 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6349
343 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] 8550

Boards


XE Login