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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다 [고주파 플라즈마 반응 특성]
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CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전]
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plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [Child-Langmuir sheath model]
[2] | 3755 |
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ESC Cooling gas 관련 [ESC 온도 제어]
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Bias 관련 질문 드립니다. [Ion plasma frequency]
[1] | 3661 |
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PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간]
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RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [Arc와 cleaning]
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방전에서의 재질 질문입니다. [방전과 전압]
[1] | 3620 |
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Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [Plasma impedance와 Matcher]
[2] | 3548 |
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코로나 방전의 속도에 관하여 [코로나 방전의 이해]
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고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [플라즈마 물리/화학적 특성, 중성입자 거동 및 자기장 성질]
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CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포]
[1] | 3461 |
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electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [Maxwallian EEDF]
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Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [ONO 공정 중 질화막 모니터링]
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PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구]
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matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [회로 모델 및 부품 impedance]
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RF matcher와 particle 관계 [DC glow 방전, 플라즈마 임피던스]
[2] | 3360 |
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Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time]
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M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown]
[1] | 3319 |
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Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성]
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정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.