안녕하세요, 에칭쪽은 처음 접해보게 된 연구자입니다. Wet 에칭 중에서도 HF 나 F2 의 SiO2 에칭에 관심이 생겨 알아보고 있습니다. 

시간별/온도별 pure HF 와 pure F2 가스의 fused silica glass (SiO2) 또는 quartz SiO2 표면의 에칭율 (etch rate) 자료를 찾아보고 있습니다. 근데 제가 구글 검색 능력이 떨어져서 그런지, 생각보다 별다른 자료가 많이 나오지 않습니다.   

제가 찾은건 

https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/ja993803z?src=recsys

https://www.seas.upenn.edu/~nanosop/documents/Etchratesformicromachiningprocessing.pdf

http://www.its.caltech.edu/~daw/papers/12-NW-preprint.pdf

이런 자료들을 찾기는 했는데, 여전히 순수 HF나 순수 F2 가스와 fused silica SiO2 그리고 quartz SiO2 표면의 온도별/시간별 에칭률이나 에칭반응계수를 찾지는 못했습니다. 

분명 오래된 논문들에 있을것 같은데 제가 검색어를 잘못 넣었는지 찾을수가 없네요. 혹시 wet etching 중 HF나 F2의 fused / quartz silica 에칭률 자료가 있으면 추천 부탁드립니다. 

감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76650
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20148
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57148
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68669
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92128
787 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 49
786 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 52
785 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 57
784 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 57
783 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 60
782 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 66
781 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 78
780 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 79
779 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 88
778 skin depth에 대한 이해 [1] 90
777 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 92
776 Microwave & RF Plasma [1] 99
775 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 100
774 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 115
773 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 116
772 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 124
771 ICP에서 전자의 가속 [1] 124
770 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 135
769 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 144
768 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 145

Boards


XE Login