다른 질문사항에 Matcher 매칭회로에서 Load, Tune에 관한 설명을 봤는데요

공정을 진행하다보면 간헐적으로 Load, Tune 값이 바뀌며 Vpp drop이 발생합니다.

PEALD 장비에서 Load와 Tune 값에 영향을 미치는 요소들이 뭐가 있을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68688
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92257
488 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1371
487 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 736
» Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6269
485 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1642
484 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1176
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3177
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2869
481 교수님 질문이 있습니다. [1] 743
480 wafer bias [1] 1129
479 Group Delay 문의드립니다. [1] 1144
478 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 513
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 1999
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1045
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1950
474 PEALD관련 질문 [1] 32612
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2209
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3498
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1070
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 708
469 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3953

Boards


XE Login