Plasma in general self bias
2023.03.13 16:58
self bias에 대한 개념을 교수님 말씀 읽고 숙지하였습니다 .감사합니다.
그렇다면 교수님, self bias의 정의를 두 전극에 RF바이어스를 가했을 시,면적의 차이 등으로 인해 두 전극에 나타나는 전위차로 설명하는 것은 잘못된 설명인가요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20175 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57166 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92275 |
789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 0 |
788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 31 |
787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 52 |
786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 56 |
785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 61 |
784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 68 |
783 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 76 |
782 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 84 |
780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 100 |
779 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 105 |
778 | Microwave & RF Plasma [1] | 110 |
777 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 111 |
776 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 119 |
775 | skin depth에 대한 이해 [1] | 122 |
774 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 123 |
773 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 134 |
772 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 136 |
771 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 146 |
770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 146 |
그 설명도 의미는 있어요. 이상적으로 동일한 두개의 부도체 전극에 같은 크기의 RF 바이어스가 걸리고, 플라즈마는 어떻게 해서 생겨 전극 사이에 놓여 있는 경우라면, 두개 전극에는 같은 크기와 같은 전위 크기의 쉬스가 형성되겠지요. 만일 면적이 다르다면, 면적에 반비례해서 서로 다른 쉬스특성의 쉬스가 생기겠고, 면적비에 반비례해 해서 쉬스전위 크기가 형성될것이고, 플라즈마전위는 공유하니, 차이가 나는 것은 표면 전위의 차이로 나타나겠지요. 이 경우에는 표면 전위, 즉 self bias 값이 서로 다르게 형성되게 되는데, 그 이유는 이온속에 차이만큼의 전자속의 변화가 있어야 하므로, 충전되는 하전량의 차이가 생겼기 때문입니다.
따라서 강의에서 들으신 설명에 대해서 저도 동의합니다.