안녕하세요 교수님. 언제나 성심성의것 답변해주셔서 공부를 하는데 큰 도움을 받고 있습니다.

 

저는 ICP, CCP 모두 다루는 반도체 장비 회사에 다니고 있는 엔지니어 입니다.

 

관찰해보면 CCP 장비에서 Arcing 문제가 더 많이 발생하고 있습니다.

 

 

어떤 이유 때문에 ICP보다 CCP 구조에서 Arcing이 더 많이 발생하는 걸까요?

 

전극 사이의 거리가 가까워서 그런건가요?

 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79237
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21259
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58061
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69618
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94402
643 Bias 관련 질문 드립니다. [Ion plasma frequency] [1] 3636
642 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [자유행정거리, Child law sheath] [1] 5025
641 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 2439
640 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering] [1] 1282
639 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [플라즈마 전류량] [1] 1390
638 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4064
637 RF 전압과 압력의 영향? [DC glow 방전, Paschen's Law] [1] 1873
636 Plasma Cleaning 관련 문의 [Remote plasma source] [1] 1523
635 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리] [1] 1304
634 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [Standing wave 운전 조건, 안테나 설계] [1] 1892
633 ICP 대기압 플라즈마 분석 [Collisional plasma, LTE 모델] [1] 794
632 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [Standing wave effect] [1] 2552
631 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [접촉 저항] [2] 1692
630 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [상압 플라즈마 임피던스, matching] [1] 486
629 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 1603
628 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [ESC 영역 온도 조절] [1] 2407
627 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [플라즈마 생성 기전, RIE 모드] [1] 8972
» CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전] [3] 3742
625 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 15149
624 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [챔버 벽면 성질 및 가스 손실] [1] 1485

Boards


XE Login