안녕하세요 반도체산업으로 취업을 준비하는 학부생입니다.

학과 연구실에서 소자 제작 중 이방성 식각을 위해 RIE 장비를 사용하여 식각을 진행했습니다.

연구실 RIE 사용기술서를 보면 식각하고자 하는 샘플 외에도 패턴이 없는 샘플들을 추가로 주변에 같이

로딩하여 진행하게 되어있는데 정확한 이유를 잘모르겠습니다.

석사 선배들한테 질문한결과 샘플 모서리 부분에서 전계가 낮아지는 효과로 인해 식각률이 안쪽과 바깥쪽이 달라지는 이유

때문이라고 답을 들었지만 확신이 서지 않아 전문적인 지식을 갖추신 교수님께 정확한 확답을 듣고자 질문하게 되었습니다.

또한 챔버 안쪽과 바깥쪽에서의 식각률이 다르다는것은 플라즈마 밀도 부분에서 차이가 있어서 그런것인지 여쭤보도 싶고

ccp 설비에서 식각 균일도를 확보할 수 있는 해결 방안 역시 궁금합니다!