안녕하세요. 플라즈마 관련 실험을 하고 있는 학생입니다.

ICP 시스템에서 전자밀도 크기에 대해 질문드리고자 합니다.

 

Ar, N2, O2 가스환경에서 ICP 시스템을 통해 플라즈마를 발생시키고, electron density (plasma density)를 측정하였습니다.

동일한 실험조건을 기준으로 (RF power 조건 포함), 

electron density는 Ar > O2 > N2 순임을 실험적으로 확인하였습니다. 

여기서 저는 왜 electron density가 상기와 같은 순서로 발생되는 것인지 궁금하였습니다.

 

첫번째로, Ar 은 10^12 cm-3 정도이나, O2, N2는 10^11 cm-3 정도로 측정되었습니다.

제가 사용한 공정가스는 원자형태의 가스(Ar)와 분자형태의 가스(O2, N2) 입니다.

분자형태의 가스에서는 가속된 전자가 분자사이의 결합을 끊는 dissociation 반응이 발생하고, 이에 따라 energy loss가 발생하여 

실제 플라즈마 반응에 들어가는 에너지는 원자형태의 가스에서보다 작아져 electron density가 낮아지는 것으로 이해하면 될지요?

 

두번째로, O2 에서 electron density는 N2 보다 높게 측정되었습니다.

이는 bonding energy 가 N2(941 kJ/mol)가 O2(495 kJ/mol) 보다 높고, 이온화에너지 또한 N2가 O2 보다 높아

동일한 조건에서 플라즈마를 발생시키더라도 n2 에서 energy loss 가 많이 발생하여 electron density 가 낮아지게 되는 것인지요?

 

 

 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
703 self bias [1] 513
702 Self bias 내용 질문입니다. [1] 745
701 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 677
700 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 601
699 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1112
698 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 353
697 ICP lower power 와 RF bias [1] 1402
696 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 566
695 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 169
694 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] 830
693 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 590
692 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 599
691 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 28680
690 plasma modeling 관련 질문 [1] 383
689 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] 701
688 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 725
687 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1122
686 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2357
» 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1024
684 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] 728

Boards


XE Login