안녕하세요 한양대학교에서 연구중인 연구원입니다.

 

ALD 공정 진행중 plasma를 방전시키는 순간 갑자기 펌프가 꺼지면서 장비상에 Forward와 Reflect가 계속해서 잔여한다고 나오는 상태입니다.

 

Matcher와 연결된 수관의 온도가 일시적으로 높아져서 matcher에 이상이 생겨서 그럴 수 있을까요?

 

수관의 온도를 낮춘뒤에도 계속해서 Forward와 Reflect가 걸리고 있고 이 때문인지 펌프가 계속 켜지지 않고 있습니다.

 

사진과 같은 상황입니다.

 

감사합니다.

 

계속해서 잘 되다가 갑자기 이런 문제가 발생했고 공정 조건을 변경한 것은 없었습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [301] 77988
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20815
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57727
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69236
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93616
816 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [1] 36
815 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 57
814 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 43
813 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 41
812 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 37
811 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 71
810 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 1920
809 플라즈마 사이즈 측정 방법 [플라즈마 분포 측정 및 산포 평가] [1] 136
» Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [RF generator] [2] file 169
807 micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장] [1] 81
806 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 131
805 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [표면파의 전파] [1] 60
804 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [Chamber impedance 변화] [1] 136
803 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [Ar plasma chemical etching] [1] 153
802 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [식각 플라즈마의 가장자리 균일도 제어] [1] 78
801 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [플라즈마 생성 공간과 플라즈마 확산] [1] 171
800 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [국부 방전과 chucking] [1] 176
799 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 127
798 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [열전달 방정식 이해] [1] 88
797 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 144

Boards


XE Login