안녕하세요! 저는 ICP와 CCP 에쳐장비를 이용해서 산화물 반도체 식각 연구를 진행중인 석사과정 학생입니다.


기존의 ICP 에처를 이용하였을때에는 기존 페이퍼의 경향대로 bias power 증가시 Etch rate 증가하는 결과를 얻을 수 있었는데요!


CCP 장비를 이용하고 나서는 오히려 Power 증가할 때 Etch rate가 감소하는 현상을 보였습니다.


사용한 가스는 CH4 H2 Ar 혼합가스 이고 Power는 150W , 180W에서 실험을 진행했는데 Etch rate는 반토막이 나서 결과를 이해하는데 어려움을 겪고 있습니다.


Power 증가시 Ion energy 및 dissociation 증가로 radical flux 또한 증가하게 될터이니, 당연히 Etch rate까지 증가하는게 맞다고 생각하는데요,( power 이외의 gas flow rate , temperature, pressure 등의 조건은 모두 동일합니다.)


다만 한가지 의심이 드는건,  ion bombardment + Radical의 Chemical reaction이 진행하는 경우보다 Ion의 sputtering을 진행하는 메커니즘이 dominent해지기 때문일 것이라는 생각이 드는데... 

이부분에 대해서 설명을 부탁드리기 위해 글을 남겼습니다. 감사합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1384
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1054
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 948
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1690
598 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2664
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1808
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3227
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 223
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2294
593 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1336
592 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2270
591 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3167
590 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] 842
589 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1961
588 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3668
587 플라즈마 챔버 [2] 1208
586 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1040
585 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3566
584 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] 776

Boards


XE Login