안녕하세요, 에칭쪽은 처음 접해보게 된 연구자입니다. Wet 에칭 중에서도 HF 나 F2 의 SiO2 에칭에 관심이 생겨 알아보고 있습니다. 

시간별/온도별 pure HF 와 pure F2 가스의 fused silica glass (SiO2) 또는 quartz SiO2 표면의 에칭율 (etch rate) 자료를 찾아보고 있습니다. 근데 제가 구글 검색 능력이 떨어져서 그런지, 생각보다 별다른 자료가 많이 나오지 않습니다.   

제가 찾은건 

https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/ja993803z?src=recsys

https://www.seas.upenn.edu/~nanosop/documents/Etchratesformicromachiningprocessing.pdf

http://www.its.caltech.edu/~daw/papers/12-NW-preprint.pdf

이런 자료들을 찾기는 했는데, 여전히 순수 HF나 순수 F2 가스와 fused silica SiO2 그리고 quartz SiO2 표면의 온도별/시간별 에칭률이나 에칭반응계수를 찾지는 못했습니다. 

분명 오래된 논문들에 있을것 같은데 제가 검색어를 잘못 넣었는지 찾을수가 없네요. 혹시 wet etching 중 HF나 F2의 fused / quartz silica 에칭률 자료가 있으면 추천 부탁드립니다. 

감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
563 플라즈마볼 제작시 [1] file 2214
562 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2565
561 Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] 542
560 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3308
559 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [2] 16645
558 알고싶습니다 [1] 1438
557 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2289
556 Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] 925
555 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 745
554 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2805
553 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1437
552 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2451
551 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 672
550 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1587
549 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 4361
548 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1107
547 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10370
546 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2387
545 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 878
544 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3672

Boards


XE Login