안녕하세요 전기분해 염소발생기 업체에서 근무중인 직장인 입니다.

전극 내구성 test를 위해 1*1cm 전극 시험편을 제작 하였습니다.

극간거리는 3mm, 인가전류는 5A 입니다.

반응면적 외 엣지부, 뒷편은 에폭시 접착제로 실링 해 두었습니다. (사진 첨부)


해당 시편을 준비 한 후, 전류를 인가 하니 스파크가 발생하며 엣지부 에폭시가 타 들어감을 확인 했습니다.

추정하기론, 엣지부가 전류밀도가 상대적으로 더 높으며, 완벽하게 실링되지 않은 부분에 전류밀도가 몰리고,

그로 인해 열이 발생해 스파크 발생이 생겼을것이라 추정하는데 (기포 내 스파크)

해당부분에 대해서 잘 알고 계시거나, 잘 알고계신분의 의견을 듣고 싶어 글을 남기게 되었습니다.

엣지부 에폭시를 제거 후엔 스파크가 발생하지 않았습니다.


1. 엣지부 에폭시 접착제에 의한 스파크 발생원인은 무엇인지?

2. 에폭시가 아닌, 스케일 발생에도 스파크가 발생 할 것인지?


에 대해서 여쭈어 봅니다.

시편사진은 첨부 하도록 하겠습니다.

부디 좋은 의견을 많이 주셨으면 좋겠습니다. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
543 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 469
542 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2228
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1733
540 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3615
539 플라즈마 살균 방식 [2] 11415
538 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1365
537 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2340
536 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 424
535 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1072
534 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3111
533 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6428
532 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1234
531 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2345
530 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1876
529 질문있습니다 교수님 [1] 22002
528 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1696
527 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 438
526 remote plasma 데미지 질문 [1] 14426
525 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1889
524 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1193

Boards


XE Login