ICP dry etch 장비에 대해 이제막 공부를 시작하고 있는데요..

RF Power로 부터 가해지는 전자기파가 도체 내를 통과할 수 있는 깊이가 skin depth라고 알고 있는데

그렇다면 skin depth가 클수록 전자기파가 플라즈마에 영향을 주어 플라즈마 밀도도 높아져서

etch rate 측면에서 볼 때 좋아진다고 생각이 되는데...  이런 메카니즘으로 이해하는것이 맞는 건지요..? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76701
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20156
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68682
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92222
267 공동형 플라즈마에서 구리 전극의 식각 문제 [2] 6363
266 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] 8977
265 Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] 8918
264 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6491
263 VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] 54878
262 수중플라즈마에 대해 [1] 8739
261 [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] 12753
260 상압 플라즈마에 관하여 문의 드립니다. [1] 8133
259 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] 9955
258 고온 플라즈마 관련 8090
257 안녕하세요 교수님. [1] 9023
256 Lecture를 들을 수 없나요? [1] 8578
255 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] 13054
254 MFP에 대해서.. [1] 7821
253 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6569
252 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7702
251 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 10297
250 플라즈마 발생 억제 문의 [1] 8118
» ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 24322
248 Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? 15885

Boards


XE Login