안녕하세요. 플라즈마 연구실에서 식각 공정을 연구중인 대학원생입니다.

 

CF4 등 flourine 계열의 식각 가스를 사용하는 ICP 챔버를 이용해 관련 연구를 진행하고 있습니다.

연구 특성상 식각 가스를 비교적 장시간 사용 하고 있는데요, (ex) 실험 1 run당 continous하게 flourine plasma 1 시간 방전) 그러다보니 

실험을 진행함에 따라 안테나 쪽 dielectric, edge ring, chamber wall 등 이 점점 까맣게 바뀌고 있습니다.

 

결정적인 문제는 Ar이나 N2 plasma 방전 실험에서도 시료 표면에서 flourine 성분이 측정되어, 플라즈마 방전 시, 챔버 parts 표면에서 flourine이 나오는 것으로 추정하고 있습니다. 실험간 O2 plasma를 통해 carbon에 대한 conditioning은 진행하고 있지만 잔류 flourine도 제거하는 방법이 있을 지 여쭙고 싶습니다.

없다면 챔버 parts에 대한 보수를 진행하려고 하는데, liner를 사용하지 않는 챔버라 wall에 대한 보수는 현실적으로 어려운 상황워서 conditioning이 간절하네요..

 

H2 plasma를 사용하여 Si wafer의 flourine을 제거하는 논문을 일부 보긴 했습니다만, 챔버 내부 parts에 대해서도 유효한 방법일 지는 모르겠습니다.

 

답변 부탁드리겠습니다.

감사합니다.

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