안녕하세요.

CVD 공정 엔지니어로 근무 중인데, 전공과 무관한 업무를 하다보니 막히는 경우가 많은데 교수님께 많은 도움을 받고 있습니다. 감사합니다.

다름이 아니라 SiO2 박막 Depo 후, F 입자를 이용하여 Clean을 진행하는데 박막 밀도가 높을 수록 Clean의 효율이 감소하는 결과를 확인했습니다.

제가 추정하는 이유는 두 가지 인데, 제가 추정하는 이유가 맞는지 교수님의 전문적인 견해가 궁금하여 글을 작성합니다..

 

 1) 막질 밀도가 낮을 수록 막질이 phorous하여 빈 공간으로 Radical이 침투하기 용이하여 반응성 증가

 2) 막질 밀도가 낮을 수록 같은 두께의 박막 내 SiO2 분자수가 적기 때문에 제거해야 할 SiO2 분자수가 적어 Clean 효율 증가

 

항상 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20179
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68697
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92275
749 플라즈마 온도 27780
748 DBD란 27719
747 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27617
746 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27209
745 이온과 라디칼의 농도 file 26995
744 self bias (rf 전압 강하) 26713
743 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26468
742 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26184
741 충돌단면적에 관하여 [2] 26160
740 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26119
739 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25582
738 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24987
737 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24873
736 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24852
735 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24772
734 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24747
733 plasma와 arc의 차이는? 24657
732 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24644
731 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24579
730 플라즈마가 불안정한대요.. 24516

Boards


XE Login