질문 ::

플라즈마의 에너지원으로 주로 RF POWER를 사용하죠.
그런데, CHAMBER 전체의 임피던스와 RF GENERATOR의 출력
임피던스를 사이의 MATCHING을 RF MATCHER를 통해 REFLECT
POWER의 발생없이 CHAMBER의 CATHODE나 ANODE로 에너지
공급토록 하는 역할이 바로 RF MATCHER의 존재목적이 아닌가
싶습니다.
  여기서 제가 궁금한 사항은 가끔 MATCHING이 우리가 원하는 SPEC
대로 정합이 되지는 않죠. 즉,REFLECT POWER(반사파)발생이 커지
기도 하는데요..  이것이 특히 DRY ETCHING장치에서 PARTICLE이슈
와 관련하여 연관성이 있다고 볼 수 있을지요...
즉, REFLECT가 커지면 실제 플라즈마 상태가 불안정 상태를 의미하는
지요...  PARTICLE과 연관지어 이론적 설명을 부탁드립니다..

답변 ::

본란에서 matching system에 관한 설명을 이미 드린 적이 있으니 참고하기 바랍니다.
두번째 질문인 particle과 matching system과의 관계는 저희도 잘 알고 있지 못한 내용입니다.
구체적으로 얼마나 심각한 영향을 줄 것 인가를 예상하기가 어렵습니다. 당연히 안테나 앞의 quartz의
두께가 식각 장비에서 바뀌게 되면 이값은 matching에고 영향을 주게 될 것 입니다. 하지만 particle의
생성은 어떤 영향을 줄 것인가에 대한 연구가 많이 진행되어 있지는 않는 것 같습니다. 이유는 particle의
정도가 얼마나 심각한 가에 따라 다르겠지요. 아무튼 깊이 고려해 볼 문제 입니다. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [316] 81808
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21811
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58603
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70230
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 95846
784 플라즈마 온도 [Density와 Temperature] 27940
783 DBD란 27904
» 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 [Matching과 particle] 27800
781 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27370
780 이온과 라디칼의 농도 [해리도와 전자 에너지 분포] file 27199
779 self bias (rf 전압 강하) 26914
778 OES 원리에 대해 궁금합니다! [플라즈마 빛의 파장 정보] [1] 26879
777 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [공정 과정 및 장치 상태] [2] 26637
776 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [ESC와 capacity] [3] 26452
775 충돌단면적에 관하여 [2] 26378
774 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25646
773 plasma와 arc의 차이는? [Arc의 temperature] 25191
772 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건] [2] 25094
771 Reflrectance power가 너무 큽니다. [RF matching과 breakdown] [1] 25071
770 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 25006
769 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [ICP Matching과 Circuit model] [1] 24896
768 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [장비의 접지, 절연 관리] [1] 24868
767 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure] [1] 24866
766 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24790
765 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [Sheath model과 bias] [3] 24652

Boards


XE Login