Etching 후에 particle에 발생하는 현상은 매우 일반적입니다. 사용하는 gas와 대상 시편간의 화합물 형성 조건과 반응기의 형태등에 따라서 particle 발생과 처리는 매우 심각한 문제를 야기하기도 합니다. 또한 이 같은 현상은 반응기 내부 구조에 따라 매우 민감하고 개스 흐름과도 밀접한 연관이 있습니다. 반응기 내의 구조에 특히 민감합니다.
실험에서처럼 polymer가 형성되는 경우는 일반적으로 processing 사이에 산소 플라즈마를 사용하여 반응기를 cleaning하는 방법을 사용하는 것으로 알고 있습니다. 물론 이용하고 있겟지요. 또한 반응기 구조에 개스 흐름이 모이는 곳이 없도록 내부 설계를 조절할 필요가 있을 것입니다.
저희 실험실에서는 플라즈마내에 particle이 통과 하였을 경우 particle표면에
얼마나 많은 전하가 하전되는 가를 공부하고 있습니다. 그 결과는 표면적에 비례하여 하전량이 증가하는 것을 알 수 있고 이 표면 전하에 의한 전위는 process중에 전기력을 형성하여 반응기 표면에 흡착되던가 자신의 중력을 상쇄하여 플라즈마내에 부유하고 있을 수 있습니다. 하지만 플라즈마가 꺼지고 표면 전하가 사라지게 되면 균형을 이루던 힘이 깨지고, 즉 전기력을 손실하여 중력에 다른 particle의 자유 낙하가 시작될 것입니다. 이때 gas flow에 다라서 particl 이 배기 되지 못하면 남은 particle은 처리 시편에 떨어지게 됩니다. 이 같은 사항을 고려하여 반응기 내부 구조 설계와 배기 설계 등을 하시면 도움이 될 것 입니다