안녕하세요.

 

반도체 완성품 업체 재직 중인 설비엔지니어입니다.

저희가 현재 좌우 비대칭과 관련된 DATA를 TARGET하기 위하여 설비 HW적 가변요소를 추가하여 Targeting 중입니다.

HW 적 가변요소로는 Ring kit 중 1요소를 Lift pin으로 들어올려 sheatch의 모양을 RF TIME 초반과 일정하게 유지하여

edge Tillting 제어를 하고 있습니다.

 

다만 현재 RING을 LIFT하는 시점에 유독 RF TIME 초반시점에만 particle이 쏟아지고 있습니다.

Ring KIT의 성분으로는 SIC, Quartz 재질이며 Lift가 되는 Ring의 경우에는 Quartz ring을 직접제어하고 있습니다.

 

현재 가장 의심하고 있는 부분은 SIC Ring 에서 Particle이 기인되고 있다고 가장 의심하고 있습니다.

실제로 Particle 성분분석 시에도 SI, O, F 계열이 검출되고 있는데, 해당 부분을 해소할 수 있는 방안이 어떤점이 있을까요?

이론적 OR 실험적으로든 비슷한 난제를 극복한 사례가 있으실까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [301] 78014
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20833
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57735
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69249
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93625
37 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 181
36 Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [RF generator] [2] file 180
35 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [국부 방전과 chucking] [1] 178
34 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [플라즈마 생성 공간과 플라즈마 확산] [1] 175
33 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [Sheath energy] [1] 173
32 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [Pachen's law 이해] [1] 168
31 반사파에 의한 micro arc 질문 [VHF 전력 인가] [2] 166
30 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [상압플라즈마 소스] [1] 163
29 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [RF Power] [1] 162
28 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [Ar plasma chemical etching] [1] 157
27 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [Lorentz force와 ExB drift 이해] [1] 156
26 플라즈마 사이즈 측정 방법 [플라즈마 분포 측정 및 산포 평가] [1] 147
» 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 146
24 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [Chamber impedance 변화] [1] 139
23 플라즈마 설비에 대한 질문 139
22 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 133
21 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 129
20 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [RF 전원과 매칭] [1] 117
19 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 113
18 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [부착물의 흡착 관리] [1] 106

Boards


XE Login