안녕하십니까 교수님 항상 성심성의것 답변해 주신것 감사합니다.

 

저는 CCP plasma를 다루는 반도체 장비 회사를 다니고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 여러가지 조건으로 Split test를 하는 와중에 샤워헤드와 척 사이의 갭을 늘렸더니 

 

플라즈마가 켜졌을 때 Matcher의 Vrms가 초반 몇 초 동안 급격히 상승하는 현상이 발생했습니다.

 

운이 없었다면 아킹이 발생하고 웨이퍼가 깨졌을 수도 있었던 상황이라 생각합니다.

 

 

이런 상황에서 pressure를 낮췄을 때는 Gap을 늘려도 상대적으로 안정해지는 경향이 파악 되었습니다.

 

왜 Gap이 커지면 불안정해지고, 여기서 Pressure를 낮추면 Gap이 커져도 상대적으로 안정해 지는 걸까요??

 

감사합니다~!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76540
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91696
503 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1399
502 ICP lower power 와 RF bias [1] 1404
501 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1412
500 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1414
499 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1417
498 MATCHER 발열 문제 [3] 1425
497 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1427
496 Ar plasma power/time [1] 1429
495 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1437
494 알고싶습니다 [1] 1438
493 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1442
492 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1446
491 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1448
490 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1449
489 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1450
488 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1453
487 charge effect에 대해 [2] 1454
486 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1456
485 plasma 형성 관계 [1] 1466
484 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1471

Boards


XE Login