Sheath floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점

2008.10.26 11:30

김한성 조회 수:22362 추천:420

안녕하십니까? 반도체 제조업에 종사하는 엔지니어입니다.

플라즈마 기초 토픽들을 공부하던 중 이해가 안가는 부분이 있어서 이렇게 문의드립니다.

플라즈마에 isolated (floating) substrate 를 넣었을 때, 전자와 이온이 각각 nv/4 의 flux 로

입사하고, 속도가 더 빠른 전자가 먼저 기판을 charging 시켜서 sheath 형성의 발판을

마련한다고 여러 책들에 소개되고 있는데요,

전자나 이온이 왜 기판에 capture 가 될까요? 초기에 기판은 중성이 아닌가요?

그냥 튕겨나가지 않고 왜 기판을 charging 시키는 지 이해가 되지를 않습니다. 이것을 설명할

수 있는 화학적, 혹은 전기적인 해석이 가능할까요?

답변 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4912
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16246
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63756
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83572
619 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [1] file 418
618 Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] 419
617 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 419
616 Interlock 화면.mag overtemp의 의미 420
615 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 427
614 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 428
613 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 430
612 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 436
611 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 436
610 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 438
609 Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] 443
608 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 443
607 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 445
606 활성이온 측정 방법 [1] 447
605 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 448
604 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 449
603 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 450
602 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 454
601 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 455
600 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 456

Boards


XE Login