Etch 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량
2023.02.09 13:21
안녕하세요. 반도체 회사 재직중인 설비엔지니어입니다.
텅스텐 DEPO 설비 유지보수 중에 RF Plasma를 통한 텅스텐 Cleaning에 문제점이 생겨 조언을 얻고자 질문드립니다.
텅스텐 Plasma Clean 조건
2100W Generator Power / C2F6 : O2 (1:1 비율) / 300mTorr Chamber Pressure / 13.56MHZ Matcher
Plasma Cleaning 진행 중 깜빡깜빡이는 현상이 확인되며 PM을 하고자 Chamer Open 했을 때
텅스텐이 Etching 되지 않고 Heater 및 Shower Head에 텅스텐이 그대로 남아있는 현상이 발생했습니다.
관련하여 챔버에 압력/Clean gas/RF 계통의 Part들을 교체해 보고 있으나 현상이 개선되지 않아
플라즈마 깜빡깜빡이는 현상이 Etching 효율을 떨어뜨리는 걸로 보이는데 문제점이 무엇일지 조언 받고싶습니다.
감사합니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76649 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20147 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57146 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68668 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92121 |
| 787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 48 |
| 786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 52 |
| 785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 57 |
| 784 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 57 |
| 783 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 58 |
| 782 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 66 |
| 781 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 78 |
| 780 |
CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다.
[1]  | 79 |
| 779 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 87 |
| 778 | skin depth에 대한 이해 [1] | 89 |
| 777 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 90 |
| 776 | Microwave & RF Plasma [1] | 99 |
| 775 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 100 |
| 774 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 | 111 |
| 773 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 115 |
| 772 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 124 |
| 771 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 124 |
| 770 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 135 |
| 769 |
CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여
[2] | 143 |
| 768 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 144 |