안녕하십니까 RF Power 공급 업체에 다니고 있는 직장인 입니다.

한가지 궁금한 점이 있어서 질문 올립니다.

현재 장비사에서 다른 Power 업체에서 사용하던 것을 저희 업체로 변경 하여 사용했는데

공정 결과 ER이 20% 낮게 나왔다고 합니다.

공정 시 같은 Power, 같은 ICP설비 안테나로 진행 하였으며 RF Matcher와 RF Generator의 Maker만 바뀐 상황입니다.

이와 관련하여 혹시 Matcher가 ER을 낮게 할 수 있는 원인이 될 수 있는지 여부가 궁금합니다.

혹시 관련된 자료 있으면 링크좀 부탁드리겠습니다.

감사합니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76677
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57151
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68673
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92186
587 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 970
586 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 977
585 anode sheath 질문드립니다. [1] 979
584 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 991
583 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 993
582 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 999
581 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 1003
580 고진공 만드는방법. [1] 1006
579 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 1011
578 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1012
577 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1020
576 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 1028
575 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1029
574 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1036
573 플라즈마 코팅 [1] 1036
572 Plasma Arching [1] 1039
571 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1045
570 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1046
569 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1047
568 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1052

Boards


XE Login