CCP PECVD와 RIE의 경계에 대해

2021.06.21 15:35

피했습니다 조회 수:1443

안녕하세요. PECVD 방식을 사용하는 반도체 장비 회사에 다니는 엔지니어입니다.

항상 많이 배우고 있습니다 .감사합니다.

 

이번에 여쭙고 싶은것은 PECVD가 어느 순간 RIE가 되는지 입니다.

 

말씀드렸다시피 저희 회사는 PECVD를 쓰고있고, 이는 양 전극의 크기가 동일하며 두 전극의 간극(Gap)이 작아서 Wall의 영향을 받지 않기 때문에 DC bias는 영향이 거의 없고 따라서 Ion bombardment는 일어나지 않고 라디컬에 의한 화학 반응이 주를 이루게 된다고 알고 있습니다.

 

그렇다는 것은 두 전극의 크기가 동일하더라도 Gap을 늘리면 DC bias 효과를 낼 수 있다는 말인 것 같은데,

Gap을 어느정도로 확보해야 PECVD가 아닌 RIE로 부를 수 있는 걸까요?

현재는 10mm이하로 Gap을 사용하고 있습니다.

 

혹시 안된다면 이유는 무엇이고 전극의 크기가 같은 CCP 구조에서 Ion Bombardment를 일으킬 수 있는 방법이 있는지 궁금합니다.

 

감사합니다!!!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76685
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68680
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92218
587 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 970
586 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 978
585 anode sheath 질문드립니다. [1] 979
584 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 991
583 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 997
582 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 999
581 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 1003
580 고진공 만드는방법. [1] 1006
579 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 1011
578 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1012
577 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1020
576 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 1028
575 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1029
574 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1036
573 플라즈마 코팅 [1] 1036
572 Plasma Arching [1] 1039
571 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1045
570 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1046
569 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1047
568 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1052

Boards


XE Login