교수님, 안녕하세요.

반도체 회사에서 공정 개발을 하는 연구원입니다.

교수님께 ESC Chuck 의 활용(?) 에 관한 질문을 드리고자 글 남기게 되었습니다.

현재 ICP Coil 을 이용하여 reactant gas 를 radical 로 만들어서 wafer 위에서 반응을 유도하고 있습니다.

하지만, 현재 chamber 조건이 공정상 몇 가지 단점을 갖고 있어 이를 개선하려는 업무를 진행 중 의문이 생겼습니다.

개선을 위한 condition (온도, 압력) 에서는 화학흡착 즉, chemisorpsion 이 되지 않는 결과를 확인하였습니다.

(온도, 압력만 변화. 관련 논문도 확인)

이를 극복하는 방안으로, ESC Chuck 을 사용하여, radical 을 강하게 wafer 로 끌어오면 어떨가 하는데,

가장 큰 고민이, boosted radical 이 wafer 에서 물리적 가속외에 화학적 흡착에도 영향을 줄 수 있다는 근거를 찾기가 어렵습니다.

혹, 교수님께서 관련해서 조언해주실 수 있으시면 업무에 큰 도움이 될 것 같습니다.

감사합니다.