self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도 Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76714 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20170 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68695 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92273 |
228 | 몇가지 질문있습니다 | 16578 |
227 | 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [2] | 16653 |
226 | nodule의 형성원인 | 16756 |
225 | sputter | 16845 |
224 | Virtual Matchng | 16853 |
223 | ICP 식각에 대하여... | 16915 |
222 | 플라즈마 처리 | 16931 |
221 | ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다. | 16945 |
220 | 형광등으로 부터 플라즈마의 이해 | 17001 |
219 | RF에 대하여,, | 17041 |
218 | PSM을 이용한 Radical측정 방법 | 17072 |
217 | Light flower bulb | 17079 |
216 | 플라즈마를 이용한 발광시스템에 관한 연구 | 17087 |
215 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17191 |
214 | Electrode 의 역할에 대해서 궁금합니다. | 17332 |
213 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 17419 |
212 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17441 |
211 | RF 변화에 영향이 있는건가요? | 17510 |
210 | 유전체 플라즈마 | 17556 |
209 | 불꽃이 쫒아오는 이유 | 17621 |