Etch RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소

2022.03.24 15:39

오브리야 조회 수:1055

안녕하십니까, 반도체분야에서 공부하고 있는 비전공자 학생입니다. 

 

최근 RIE 장비로 Etching test를 진행 중 궁금한것이 생겨서 질문드립니다.

RIE 장비에서 Etching rate에 크게 기여하는 부분이 dc-bias라고 알고 있습니다. 

가스 유량, 압력, 그리고 power 심지어 reflected power 마저도 동일한데 dc-bias만 대략 70V나오던 것이 50V로 줄어드는 현상이 있었습니다. 혹시 이러한 간간히 일어나는 건가 싶어 질문남겨드립니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76685
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68680
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92210
667 plasma 공정 중 색변화 [1] 598
666 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 601
665 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 602
664 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 605
663 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 607
662 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 607
661 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 612
660 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 615
659 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 623
658 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] 627
657 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 632
656 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 635
655 Polymer Temp Etch [1] 652
654 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 656
653 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 663
652 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 668
651 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 672
650 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 673
649 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 679
648 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 684

Boards


XE Login