안녕하세요. 반도체 장비관련 업종에 종사하고 있습니다.

하기와 같이 질문을 드립니다.

ESC에 Wafer Chucking 용 DC 전극을 2000V~5000V 정도 인가를 합니다.
그리고 인가되는 Bias RF Power 조건은 하기와 같습니다.(Power는 Max Power 기준)
  Case1) 2MHz 단독(5kW), 13.56MHz 단독(3kW), 60MHz 단독(10kW), 400KHz 단독(16kW)
  Case2) 400kHz+60MHz, 2MHz+13.56MHz
이러한 조건일때 ESC DC 전극 Port와 DC Power Supply 사이의 Damping 저항용량을 얼마로 하면 좋을지 궁금합니다.
Damping 저항 계산하는 공식을 알려주시면 더 많은 도움이 될 것 같습니다.
현재 13.56MHz(3kW)에는 500kΩ, 2MHz(5kW) 1MΩ 사용하고 있습니다.

 
이 외에 위 조건에서 사용 시 참고해야 할 내용이 있으시면 함께 답변 부탁드립니다.

감사합니다.