ICP ICP lower power 와 RF bias

2023.01.18 19:04

eehcl12 조회 수:368

안녕하세요 ICP 식각 장비를 이용해 실험을 진행하고 있는 학부생입니다. 현재 제가 사용하는 ICP 장비에 RF upper power, RF lower power, RF bias [Vpk] (v) 라는 파라미터가 존재합니다. 제가 알고 있는 바로는 Upper power는 Coil에 걸리는 파워로 플라즈마 생성 용도라고 생각을 했고, lower power는 이온의 에너지, 충격을 이용하기 위한 용도라고 생각을 했습니다. 하지만 RF bias는 무슨 용도로 사용이 되는 것인지 궁금해서 질문을 드립니다.

또한 절연체 층을 식각할 때는 RF bias를 가하고, 메탈 층을 식각할 때는 RF bias를 가하지 않는데 어떤 이유인지 궁금합니다. 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [158] 72988
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17579
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 55511
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65680
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85997
704 Self bias 내용 질문입니다. [1] 52
703 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 65
702 self bias [1] 70
701 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 72
700 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 86
699 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 109
698 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 110
697 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 178
696 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 195
695 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 196
694 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 205
693 plasma modeling 관련 질문 [1] 233
692 ESC DC 전극 Damping 저항 242
691 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 246
690 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 260
689 plasma striation 관련 문의 [1] file 260
688 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] 268
687 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 269
686 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 269
685 RF Sputtering Target Issue [2] file 272
쓰기
태그

Boards

XE Login