안녕하세요 교수님, ICP Dry etching을 활용한 High-k , Oxide semiconductor patterning 연구를 진행중인 석사과정 학생입니다.


제가 사용하는 Dry etch chemistry는 CF4/Ar gas인데요, 이 때 반응성 이온으로 형성될수 있는 F+,CFx+ ion 그리고 non-reactive gas인 Ar의 역할들에 대해 질문을 여쭙고 싶습니다.


흔히 Ar ion의 경우 energetic bombardment라 하여 target 표면의 1.physical sputtering 및 2. bonding을 깨 radical과의 화학반응을 유도하며 3. 낮은 ionization energy로 인해 RIE 공정 시  plasma 안정화의 역할을 하는 것으로 알고 있습니다.


반면 Reactive ion 의 경우의 역할에 대해 혼란이 있는데요, 예를들어 CF4 gas의 경우 plasma에서 CFx+ 및 F+ ion이 형성되고

수많은 논문들에서는 이들 reactive ion 의 역할을 1.radical과 같은 표면반응으로 byproduct 형성 / 2. icp의 bias power의 영향을 받아 Ar ion 과 같은 bombardment 역할을 한다고 이야기하고 있습니다.


이부분에서 장비 및 공정의 조건 그리고 target물질에 따라, reactive ion(CF3+ CF2+,CF+,F+ etc..)들의 역할이 바뀔 수 있는 것인지요, 아님 복합적으로 화학반응 및 sputtering 역할이 동시에 일어나되, 공정조건에 따라 dominent한 역할이 달라지는 것인지... 궁금합니다.


정리하면 rie에서 reactive ion의 역할이 ion bombardment & sputtering, chemical reaction 둘다 맞는 말인지 여쭙고 싶습니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5890
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17344
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65098
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85184
498 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1022
497 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1026
496 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1034
495 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 1037
494 자기 거울에 관하여 1040
493 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1048
492 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1054
491 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1067
490 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1067
489 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1077
488 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1097
487 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1125
486 플라즈마 기초입니다 [1] 1129
485 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1143
484 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1153
483 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1167
482 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1183
481 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1184
480 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1195
479 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] 1207

Boards


XE Login