안녕하세요, 교수님.

CCP Plasma 를 이용해 SiH4 와 N2O gas 를 flow 시키면서 SiO2 막질을 형성하는 공정 진행중, Chamber wall 부분에서 특이점이 발생하여 문의드립니다.

Chamber 내부에 형성된 plasma 보다 밝기는 더 밝은 모양의 Parastic plasma 가 chamber wall 부분을 따라 계속해서 왔다 갔다 움직이는 현상입니다.

RF power 가 지나가는 path 의 component 연결상태를 다시 확인 후 다시 plasma 를 켰을때, parastic plasma 의 위치만 변했을 뿐, 현상은 동일합니다.

이와 같은 현상이 발생하는 원인이 무엇일까요? Chamber 내부 conditioning 이 덜 되어서 일지, 아님 실제로 RF power loss 가 Capacitively Coupled 된 두 기판 사이의 어디선가 발생하여 기인된  것일까요?

답변 부탁드립니다.

감사합니다.

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