안녕하세요, 반도체 회사에 근무하는 직장인입니다. 

 

여쭐 것이 있어 글을 남겨 봅니다.

 

산업현장에서 쓰는 플라즈마 챔버간의 특성 차이 문제는 극복해야할 문제인데요, 

제가 지금 경험하고 있는것은, N2 gas 전처리의 특성이 달라서 챔버간 소자 결과 차이가 난다는 것입니다. 

여기서 질문이 있습니다.

 

1. CVD의 RPSC step(셀프 클리닝)에서 시즈닝 공정 조건 즉 시즈닝 레시피가 Sio2 증착 recipe (Sih4+N20) 인지? 혹은 SiNx(Sih4+nh3)인지에 따라 후속에서 진행될 N2 플라즈마의 전자 온도, 전자 밀고, 이에 따른 N2 해리율 변동을 야기 할 수 있을지요?? 

 

2. 야기 한다면 시즈닝을 SiO2로 하다가 Sinx 로 할 경우, 전자 밀도 온도 N2 해리율이 증가하는 방향일지? 감소하는 방향일지요?

이것이 시즈닝 박막의 유전율과 연관이 있을지?? 궁금합니다.

 

답변주시면 큰 도움이 될 것 같습니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
563 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1062
562 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1063
561 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1072
560 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1078
559 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1088
558 전자 온도 구하기 [1] file 1098
557 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1099
556 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1101
555 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1107
554 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1113
553 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1118
552 wafer bias [1] 1119
551 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1119
550 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1122
549 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1122
548 자기 거울에 관하여 1130
547 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1133
546 Group Delay 문의드립니다. [1] 1134
545 공정플라즈마 [1] 1136
544 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1141

Boards


XE Login