Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing

2022.11.19 05:11

TW 조회 수:2360

안녕하세요 

 

현재 반도체관련 회사에 재직중입니다. 

다름아니라  Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데 

RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?

 

아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20178
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68697
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92275
549 공정플라즈마 [1] 1145
548 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1156
547 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1156
546 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1156
545 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1157
544 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1162
543 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1167
542 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1172
541 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1174
540 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1177
539 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1183
538 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1191
537 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1220
536 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1222
535 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1226
534 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1236
533 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1239
532 플라즈마 챔버 [2] 1241
531 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1243
530 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1270

Boards


XE Login