CCP 라디컬의 재결합 방지

2021.06.25 15:30

피했습니다 조회 수:779

안녕하세요. CCP 플라즈마 관련해서 연구를 하고 있는 엔지니어입니다.

항상 좋은 가르침 덕분에 많이 배우고 있습니다.

 

이번에 여쭙고 싶은것은 CCP플라즈마 공정 시 생기는 라디컬들의 재결합(Recombination) 입니다.

 

저희는 RF플라즈마로 CCP 환경에서 플라즈마를 만들고, 현재 파워전극의 반대편에 기판을 놓기 때문에 이온 충돌에 의한 식각 현상은 없다고 보고 있습니다.

 

이런 상황에서 저희가 기본적으로 OH와 H 라디컬 생성을 위해 H2O를 집어넣는데요. 

산소 라디컬도 필요하게 되어 O2가스도 집어 넣을까 생각하고 있습니다.

그런데 궁금한 것은 H2O 라디컬에서 H, OH가 모두 나오는데  여기서 생성된 H라디칼과 O2라디칼이 재결합을 해서 기판과의 반응이 효율이 제대로 나오지 않을 수도 있다는 것입니다.

 

 --> O2 라디컬을 추가하면 H 라디컬과 재결합이 일어나면서 오히려 반응 효율을 떨어뜨리게 될까요?

아니면 재결합은 많이 일어나지 않고 OH, H, O 라디컬이 모두 기판과 잘 반응할 수 있을까요??

 

교수님은 어떻게 생각하시는지요?

 

혼자 생각해 보기로는 Residence time을 조정해서 실험 해볼 수 있지 않을까 합니다.

Residence time이 길면 재결합을 하기 위한 충분한 시간이 주어지는 것이라고 볼 수 있을까요?

 

혹은 N2나 Ar 같은 분위기 가스들이 재결합을 어느정도 막아준다고 들었는데 이런 가스들을 더 추가하면서 재결합을 막을 수 있을지 궁금합니다.

 

언제나 감사합니다!

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76540
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91696
763 corona model에 대한 질문입니다. [1] 168
762 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 169
761 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [1] 181
760 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 184
759 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 186
758 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 192
757 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 192
756 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 199
755 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 209
754 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 222
753 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 223
752 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 231
751 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 235
750 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 238
749 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 263
748 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 287
747 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 297
746 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 299
745 standing wave effect, skin effect 원리 [1] 302
744 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 304

Boards


XE Login