Etch Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법

2022.01.03 21:59

각식식건 조회 수:2010

안녕하십니까, 항상 검색을 통해 다양한 정보를 얻을 수 있어 감사히 생각하고 있습니다.

 

ICP Etcher에서 Al (상하부 Ti) 식각할 때 Cl2+BCl3 베이스로 식각한 뒤

 

부산물인 AlCl3 또는 Cl 이온이 잔류한 상태로 대기에 노출되면 부식의 원인이 되기도 하고, 당장 부식이 생기지 않더라도 전기적 구동 평가시에 부식 또는 신뢰성 불량으로 이어질 수 있는 것으로 알고 있습니다.

 

따라서 저는 CF4, O2 플라즈마로 약 30~60초간 후처리하여 AlCl3를 AlF3로 치환하는 방식으로 이를 제어하고 있습니다.

 

1. 이처럼 잔류 이온을 컨트롤할 수 있는 또 다른 방법에는 어떤 것들이 있는지 궁금합니다.

(찾아보니 N2, H2O 플라즈마도 효과가 있다는데 N2는 어떤 원리인지 잘 모르겠네요.)

각종 연구실이나 기업 등에서는 어떤 방식으로 잔류 이온 제어(부식 방지)를 하고 있는지? 과거/최근 적용 사례나 연구 동향 등이 궁금합니다.

또는 새롭게 평가해볼만한 아이디어도 고민 중에 있습니다.

 

2. 단순히 최상부막 Metal에 남는 AlCl3 뿐만 아니라 하부막에 박히는 Cl 이온도 악영향이 있겠죠?

 

3. CF4 처리를 하더라도 AlF3나 하부막 F이온도 정도가 덜할 뿐 비슷한 side effect이 생길 것 같습니다. 애초에 잔류 Cl 이온을 줄이거나 완전히 제거할 수 있는 방법이 있을까요..?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76727
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20183
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68698
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92277
769 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 158
768 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] 162
767 corona model에 대한 질문입니다. [1] 169
766 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 169
765 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 170
764 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 178
763 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 185
762 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [1] 189
761 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 198
760 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 206
759 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 206
758 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] 206
757 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 212
756 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 216
755 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 225
754 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 228
753 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 232
752 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 248
751 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 250
750 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 250
쓰기
태그

Boards

XE Login