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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 72263
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432 매칭시 Shunt와 Series 값 [RF 전원 전력 전달 및 Load/Tune 계산] [1] 2563
431 Wafer particle 성분 분석 [플라즈마 세정] [1] 2565
430 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [Lorentz force와 magnetic confinement] [1] 2580
429 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [Ionization과 chucking] [1] 2581
428 plasma etching을 관련 문의드립니다. [반도체 공동 연구소] [1] 2611
427 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2624
426 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux] [1] 2637
425 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [Self bias 및 ICP E/H mode] [2] 2639
424 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [ESC coating와 dummy load] [1] 2640
423 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2654
422 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다. [플라즈마 특성변화와 SH impedance 변화] [1] 2661
421 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 2665
420 LF Power에의한 Ion Bombardment [플라즈마 장비 물리] [2] 2677
419 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2699
418 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선] [1] 2710
417 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [플라즈마 dielectric property] [4] 2724
416 안녕하세요. 교수님 ICP 관련하여 문의드립니다. [충돌 단면적 및 반응 계수] [2] 2724
415 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2729
414 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [Etch와 remote plasma] [1] 2737
413 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAT <-> STAGE HEATER 간 GAP과 DEPO 막질의 THK와의 연관성…. [Plasma property와 process control] [1] 2750

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