질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:94415 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79256
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21270
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58067
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69624
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94415
323 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 6268
322 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [Reaction rate 및 reaction rate coefficient] [1] file 6300
321 공동형 플라즈마에서 구리 전극의 식각 문제 [공동형 토치의 운전법 및 방전특성이해] [2] 6420
320 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [플라즈마 임피던스 및 내부 임피던스 변화] [2] 6431
319 액체 안에서의 Dielectric Barrier Discharge에 관하여 질문 드립니다! [플라즈마 발생 방식과 성질] [1] 6439
318 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [나노 분말 생성 및 제어 연구] [1] 6469
317 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정] [4] 6490
316 저온플라즈마에 대하여 ..질문드립니다 ㅠ [1] 6521
315 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [Chemical reaction과 pressure] [1] 6553
314 플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage] [1] 6568
313 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매커니즘 문의.. [플라즈마 leak와 국부방전] [1] 6580
312 플라즈마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [Plasma 이온화] [1] 6582
311 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6608
310 안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리] [2] 6613
309 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [표면 화학 반응] [2] 6616
308 저온플라즈마에 관해서 [플라즈마 방전의 특성] [1] 6817
307 ETCH 관련 RF MATCHING중 REF 현상에 대한 질문입니다. [플라즈마 응답 특성] [1] 7242
306 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power] [1] 7305
305 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [High Power RFG] [2] 7554
304 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [유전체 격벽 방전] [1] 7728
쓰기
태그

Boards

XE Login